CJS8804
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJS8804
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
TSSOP8
ID
RDS(on)TYP
9.8
10.54
11.1
8A
13.3 2
19.6
DESCRIPTION
The CJS8804 use advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)
and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TSSOP-8
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TSSOP-8 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | CJCD2004 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJCD2005 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJCD2007 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LDN2012DT2AG (LRC) | DFN2030 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LDN8002DT1AG (LRC) | DFN30308D |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJS8804
Microsoft Word - CJS8804 TSSOP8 A-3
Дата модификации: 09.11.2020
Размер: 1.04 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.