CJT03P10

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJT03P10 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 190mΩ@-10V -100V SOT-223 -3A 210mΩ@-4.5V GENERAL DESCRIPTION This CJT03P10 use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications. 1 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURC...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJT03P10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJM05GP06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMT04P06TS (WAYON)
 
— в ленте 2500 шт — — — — —
P= NCE60P04R (NCE)
 
SOT-223 в ленте 50 шт ± — — — —
P= IRFL9014TRPBF-VB (VBSEMI)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRFL9110TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJT03P10 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 190mΩ@-10V -100V SOT-223 -3A 210mΩ@-4.5V GENERAL DESCRIPTION This CJT03P10 use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications. 1 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 3 FEATURE High density cell design for ultra low RDS(ON) z z Fully characterized avalanche voltage and current z Excellent package for good heat dissipation MARKING T03P10 XX EQUIVALENT CIRCUIT T03P10= Device code XX= C o d e Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source Voltage VDS -100 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current ID -3 Pulsed Drain Current(note1) IDM -10 Power Dissipation(note3) PD 3.1 W Thermal Resistance from Junction to Ambient(note3) RθJA 40 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ www.jscj-elec.com 1 Unit V A Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJT03P10 

Microsoft Word - CJU04N60A TO-252-2L A-1.doc

Дата модификации: 04.06.2020

Размер: 788.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)