IRFL9110TRPBF-VB

VBSemi
IRFL9110TRPBF-VB www.VBsemi.com IRFL9110TRPBF-VB Datasheet P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 100 • Trench Power MOSFET RDS(on) () ID (A) 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 Qg (Typ.) • 100% Rg and UIS Tested 13.2 nC APPLICATIONS • Active Clamp in Intermediate DC/ Available DC Power Supplies • H-Bridge High Side Switch for Lighting...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRFL014TRPBF

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJT03P10 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — — —
P= YJM05GP06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMT04P06TS (WAYON)
 
— в ленте 2500 шт — — — — —
P= NCE60P04R (NCE)
 
SOT-223 в ленте 50 шт ± — — — —
P= IRFL9014TRPBF-VB (VBSEMI)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
IRFL9110TRPBF-VB www.VBsemi.com IRFL9110TRPBF-VB Datasheet P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 100 • Trench Power MOSFET RDS(on) () ID (A) 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 Qg (Typ.) • 100% Rg and UIS Tested 13.2 nC APPLICATIONS • Active Clamp in Intermediate DC/ Available DC Power Supplies • H-Bridge High Side Switch for Lighting Application S SOT-223 G D G D S D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Limit - 100 ± 20 - 3.0 -2.1 ID IDM Pulsed Drain Current Continuous Source-Drain Diode Current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Avalanche Current Single-Pulse Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD V - 2a, b - 1.6a, b - 12 - 4.9 A - 2.5a, b - 15 11.25 6.5 4.8 mJ 3.1a, b 2a, b - 55 to 150 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit W °C Notes: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. b. t = 10 s. THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta, b Maximum Junction-to-Foot (Drain) t 10 s Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 33 17 Maximum 40 21 Unit °C/W Notes: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. b. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W. 1 PDF
Документация на IRFL9110TRPBF-VB 

Дата модификации: 02.01.1970

Размер: 270.8 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)