NCE60P04R

NCE
NCE60P04R http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P04R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-4.3A Schematic diagram RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <170mΩ @ VGS=-4.5V ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJM05GP06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 10000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMT04P06TS (WAYON)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE60P04R http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P04R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-4.3A Schematic diagram RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <170mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Load switch SOT-223 top view ● PWM application Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE60P04R NCE60P04R SOT-223-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -4.3 A Pulsed Drain Current IDM -20 A Maximum Power Dissipation PD 3.1 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 40.3 ℃/W Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance, Junction-to-Ambient(Note 2) Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA -60 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-60V,VGS=0V - - -1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCE60P04R 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 14.12.2022

Размер: 669.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)