WMT04P06TS
WMT04P06TS
60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMT04P06TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Features
VDS= -60V, ID = -3.8A
RDS(on) < 115mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 135mΩ @ VGS = -4.5V
High Density Cell Design for Ultra Low Rdson
Fully Cha...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | CJT03P10 (JSCJ) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |
| P= | YJM05GP06A (YJ) | SOT-223 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P= | NCE60P04R (NCE) | SOT-223 | в ленте 50 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |
| P= | IRFL9014TRPBF-VB (VBSEMI) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P= | IRFL9110TRPBF-VB (VBSEMI) | — | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMT04P06TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 15.05.2023
Размер: 673.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.