MMDT5551

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors %%&&&' DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN)  (   6 5  z Epitaxial Planar Die Construction z Complementary PNP Type Available(MMDT5401) z Ideal for Medium Power Amplification and Switching 4 1 2 3 %)*)+  !" $0"#1" $"23 %,%%  -./&a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
— 10 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors %%&&&' DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN)  (   6 5  z Epitaxial Planar Die Construction z Complementary PNP Type Available(MMDT5401) z Ideal for Medium Power Amplification and Switching 4 1 2 3 %)*)+  !" $0"#1" $"23 %,%%  -./& 657$ > < >  > < #5""# >!"  Collector- Base Voltage 180 V Collector-Emitter Voltage 160 V 6 V Emitter-Base Voltage  Collector Current -Continuous 0.2 A  Collector Power Dissipation 0.2 W TJ,; Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150        -./& !" $0"#1"  "4"23 #5""# 657$ " $2$ % 6 %8  $"$#7" 7#"92$1 :$;" V(BR)CBO IC=100A,IE=0 180 V $"$#"5"# 7#"92$1 :$;" V(BR)CEO IC=1mA , IB=0 160 V 5"#7" 7#"92$1 :$;" V(BR)EBO IE=10A, IC=0 6 V $"$# !$44 !##" ICBO VCB=120V, IE=0 0.05 A 5"# !$44 !##" IEBO VEB=4V, IC=0 0.05 A hFE(1) VCE=5 V, IC=1mA 80 hFE(2) VCE=5 V, IC=10mA 100 hFE(3) VCE=5 V, IC=50mA 30  !##" ; $"$#"5"# !#$ :$;" <""5"# !#$ :$;" VCE(sat)1 IC=10mA, IB=1mA 0.15 V VCE(sat)2 IC=50mA, IB=5mA 0.2 V VBE(sat)1 IC=10mA, IB=1mA 1 V VBE(sat)2 IC=50mA, IB=5mA 1 V 300 MHz 6 pF 8 dB #$ 4#"=!"6 fT VCE=10V, IC=10mA,f=100MHz ! !  " Cob VCB=10V, IE=0, f=1MHz $" (;!#" NF VCE=5V, IC=0.2mA, RS=1K,f =1kHz www.jscj-elec.com 300 1 100 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT5551 

Microsoft Word - MMDT5551_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.17 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)