NCE0125AK

NCE0125AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0125AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS = 100V,ID =25A RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=3V (Typ:28mΩ) (Typ:30mΩ) ● Special ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1010AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMB175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO175N10LG2 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRF540N (YOUTAI)
 

IRF540N (IR)
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB175N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMTK320N10A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE0125AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0125AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS = 100V,ID =25A RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=3V (Typ:28mΩ) (Typ:30mΩ) ● Special process technology for high ESD capability ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS Marking and pin assignment ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! TO-252-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0125AK NCE0125AK TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Limit Unit VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V Drain Current-Continuous 25 A 17.6 A ID ID (100℃) Drain Current-Continuous(TC=100℃) IDM Pulsed Drain Current 70 A PD Maximum Power Dissipation 70 W 0.5 W/℃ 110 mJ -55 To 175 ℃ 2 ℃/W Derating factor EAS TJ,TSTG Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic RθJC Wuxi NCE Power Co., Ltd Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 2) Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCE0125AK 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 08.06.2022

Размер: 595.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.