NCE55P15K

Pb Free Product NCE55P15K http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdso...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P= WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт
P= WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P= CRTD550P06N2-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P= NCE60P10K (NCE)
 
TO252 10 шт
 
±
P- WMO35P06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.