WMO12P05T1

WMO12P05T1 55V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO12P05T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features  S G TO-252 VDS= -55V, ID = -12A RDS(on) < 160mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 195mΩ @ VGS = -4.5V  High Speed Power Smooth Switching, Logic Le...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P= WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= CRTD550P06N2-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P= NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
±
P- NCE60P10K (NCE)
 
TO252 10 шт
 
±
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- IRFR5505 (TECH PUB)
 

IRFR5505 (INFIN)
в ленте 50 шт
 
P- IRFR9024N (JSMICRO)
 

IRFR9024N (INFIN)
в ленте 2500 шт
 
P- JMPL0648AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.