WMO35P06TS

WMO35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO35P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features  G TO-252 VDS = -60V, ID = -35A RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -10V S RDS(on) < 35mΩ @ VGS = -4.5V  Extremely Low Switching Loss  Excellent S...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU50P06 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 100 шт
 
±
P= YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P= NCE60P45K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P= UTT50P06G-TN3-R (UTC)
 
TO252
 
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P= WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
±
P- TSM680P06CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
P- STD10PF06T4 (VBSEMI)
 
в ленте 2500 шт
 
P- WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.