WMO13P06T1
WMO13P06T1
60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO13P06T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
D
Features
⚫
S
G
TO-252
VDS = -60V, ID = -13A
RDS(on) < 90mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 128mΩ @ VGS = -4.5V
⚫
Extremely Low Switching Loss
⚫
Excellent ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CJU12P06 (JSCJ) | TO2522L | 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | YJD25GP06A (YJ) | TO252 | в ленте 25000 шт | — | — | ||||||||||||
P= | NCE55P15K (NCE) | TO252 | 1 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
P= | WMO12P05T1 (WAYON) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | CRTD550P06N2-G (CRMICRO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P= | NCE60P10K (NCE) | TO252 | 10 шт | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO13P06T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 15.10.2022
Размер: 558 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.