WMO13P06T1

WMO13P06T1 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO13P06T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features ⚫ S G TO-252 VDS = -60V, ID = -13A RDS(on) < 90mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 128mΩ @ VGS = -4.5V ⚫ Extremely Low Switching Loss ⚫ Excellent ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P= YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт
P= NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
±
P= WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P= CRTD550P06N2-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P= NCE60P10K (NCE)
 
TO252 10 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.