NCEP025N60G

NCE
NCEP025N60G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP025N60G uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
A+ NCEP018N60 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP025N60G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP025N60G uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =60V,ID =165A RDS(ON)=2.2mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P025N60G NCEP025N60G DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 165 A ID (100℃) 115 A Pulsed Drain Current IDM 660 A Maximum Power Dissipation PD 145 W 1.16 W/℃ EAS 540 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.86 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP025N60G 

Microsoft Word - NCEP025n60G data sheet.doc

Дата модификации: 06.05.2021

Размер: 333.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)