Вход / Регистрация

NCEP033N85D

NCE
NCEP033N85, NCEP033N85D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =85V,ID =160A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.10mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low comb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт — — —
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP018N85LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP033N85, NCEP033N85D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =85V,ID =160A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.10mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=2.95mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP033N85 NCEP033N85 TO-220 - - - NCEP033N85D NCEP033N85D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 160 A ID (100℃) 120 A Pulsed Drain Current IDM 640 A Maximum Power Dissipation PD 220 W 1.47 W/℃ EAS 1295 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.0 PDF
Документация на NCEP033N85D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 18.03.2022

Размер: 1.07 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)