MMBT5551W

Shikues
MMBT5551W MMBT5551W TRANSISTOR (NPN) FEATURES  Small Surface Mount Package  Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING:K4N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551-G (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
— 10 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
MMBT5551W MMBT5551W TRANSISTOR (NPN) FEATURES  Small Surface Mount Package  Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING:K4N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55～+150 ℃ RΘJA SOT–323 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA, IE=0 180 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=1mA, IB=0 160 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=120V, IE=0 50 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 50 nA DC current gain hFE Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) Transition frequency Collector output capacitance fT Cob VCE=5V, IC=1mA 80 VCE=5V, IC=10mA 80 VCE=5V, IC=50mA 30 IC=50mA, IB=5mA 0.2 V IC=10mA, IB=1mA 0.15 V IC=50mA, IB=5mA 1 V IC=10mA, IB=1mA 1 V 300 MHz 6 pF VCE=10V,IC=10mA , f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. REV.08 300 1 of 2 100 PDF
Документация на MMBT5551W 

Microsoft Word - MMST5551 SOT-323_A_.doc

Дата модификации: 24.06.2019

Размер: 343.4 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)