WM02DN70A

WAYON
Document: W0803461, Rev: A WM02DN70A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description WM02DN70A uses advanced trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration. V(BR)DSS(V) 11 @VGS=10V 20 7 12 @VGS=4.5V 15 @VGS=2.5V Features Appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSSOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ YJL2312AL (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 —
A+ LN2328EDT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
SOP-8
 
 — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
A+ CJK8804 (JSCJ)
 
SOT233L
 
 ± — — — — —
A+ YJS10N02A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — —
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ LNB2110LT1G (LRC)
 
SOT23LC
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803461, Rev: A WM02DN70A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description WM02DN70A uses advanced trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration. V(BR)DSS(V) 11 @VGS=10V 20 7 12 @VGS=4.5V 15 @VGS=2.5V Features Applications ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ Super high dense cell for low RDS(ON) RoHS Compliant and Halogen-Free ESD protected: Class 2 RDS(on)TYP (mΩ) ID(A) Battery protection Load switch Schematic & PIN Configuration D1/D2 D1/D2 S1 S1 G1 D1/D2 S2 S2 G2 G1 G2 S2 S1 TSSOP-8L(Top View) Device symbol Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current ID 7 A Pulsed Drain Current1 IDM 25 A Total Power Dissipation PD 1.5 W TJ, TSTG -55 to 150 °C RθJA 83.3 °C/W Operating Junction and Storage Temperature Range Maximum Junction-to-Ambient2 ©2020 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02DN70A 

Features

Дата модификации: 29.11.2022

Размер: 336.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)