WMB025N06HG4

WAYON
WMB025N06HG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB025N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB025N06HG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB025N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  D VDS = 60V, ID = 140A RDS(on) < 2.7mΩ @ VGS = 10V  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed  RoHS and Halogen-Free Compliant RoHS D compliant G Applications S  Power Management in Switches  DC/DC Converter Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 60 V Gate-Source voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C TC=100°C ID 140 88.6 A IDM 560 A EAS 352.8 mJ PD 92.6 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 65 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 1.35 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2023 Doc:W0803867 1/7 s PDF
Документация на WMB025N06HG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 19.04.2023

Размер: 648.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)