WMO10N70EM

WML10 0N70EM, WMK10N7 W 70EM, WMM10N70EM WMN10 0N70EM, WMP10N7 W 70EM, WMO10N70EM 700V V 0.52Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS EM is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO07N70C4 (WAYON)
 
TO252 10 шт
 
P= WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
P= WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO7N65D1B (WAYON)
 
 
A+ WML10N70C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ CRJD360N70G2 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ WMJ15N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WML15N70C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WMO80R480S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMJ90R360S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMO15N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML80R480S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO10N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO11N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO12N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO10N70C4 (WAYON)
 
TO252
 

Файлы 1

показать свернуть
WML10 0N70EM, WMK10N7 W 70EM, WMM10N70EM WMN10 0N70EM, WMP10N7 W 70EM, WMO10N70EM 700V V 0.52Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS EM is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D D Features S S G G TO-26 63 VDS =7 750V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.52 2Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G D G S TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit VDSSS 700 V ID 8 A 4.8 A IDM M 24 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 55 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.15 mJ Avalanche current, c single e pulse IASS 1.2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 63 28 W 0.51 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 8 A IS,puulse 24 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2 4.5 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.5.1, 2019 Doc.W08 870029 1 / 10 PDF
Документация на серию WMx10N70EM 

Microsoft Word - WMx10N70EM W0870029 V5.1

Дата модификации: 21.04.2022

Размер: 660.7 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.