YJB110G10B

SUNCOYJ
RoHS YJB110G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 110A ＜5.2 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flamm...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB180G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSH1006AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
— в ленте 32 шт
 
 ± — — — — —
A+ YJG110G10B (YJ)
 
—
 
 — — — — — — —
A+ YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK043N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSL1006AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB110G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 110A ＜5.2 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 110 TC=25℃ Drain Current A ID 70 TC=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 440 A EAS 342 mJ 260 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 104 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 50 60 0.4 0.48 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB110G10B F2 YJB110G10B 800 / 8000 13“ reel 1/6 S-E426 Rev.1.1,06-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB110G10B 

Microsoft Word - YJB110G10B

Дата модификации: 10.06.2022

Размер: 893.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)