YJB200G06B

SUNCO
RoHS YJB200G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.9 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabilit...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJB150G06AK
Внешний вид YJB150G06AK
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP60T18D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
P- WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
P- WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт — — —
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- NCE60H15AD (NCE)
 
TO263
 
 ± — — — —
P- CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
P- NCEP016N60VD (NCE)
 
TO2637
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
A+ NCEP60T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSH0601ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ YJG210G06AR (YJ)
 
— в ленте 80 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK025N06LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 3000 шт
 
 — —
A+ WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB200G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.9 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Isolated DC-DC Converters ● Motor control ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 25 TA=25℃ 15 TA=100℃ Drain Current A ID A TC=25℃ 200 TC=100℃ 125 Pulsed Drain Current B IDM 600 A Avalanche energy C EAS 500 mJ 4.4 TA=25℃ 1.7 TA=100℃ Total Power Dissipation D PD W TC=25℃ 260 TC =100℃ 104 Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 0.48 Thermal Resistance Junction-to-Ambient E RθJA 28 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB200G06B F2 YJB200G06B 800 / 8000 13“ reel 1/8 S-E415 Rev.3.1,08-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB200G06B 

Дата модификации: 08.03.2023

Размер: 815.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)