NCEP60T18D

NCEP60T18D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T18D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- YJB200G06B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ NCEP018N60 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP60T20T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 30 шт
 
±
A+ NCEP60T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP025N60G (NCE)
 
 
±
A+ JMSH0602AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0601ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJG210G06AR (YJ)
 
в ленте 80 шт
 
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
A+ WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт

Файлы 1

показать свернуть
NCEP60T18D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T18D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =60V,ID =180A RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V (Typ:2.8mΩ) ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Marking and pin assignment ● 100% UIS tested Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-263-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP60T18D NCEP60T18D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 180 A ID (100℃) 126 A Pulsed Drain Current IDM 720 A Maximum Power Dissipation PD 220 W 1.47 W/℃ EAS 1036 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ 0.68 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd RθJC Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP60T18D 

Microsoft Word - NCEP60T18D data sheet.doc

Дата модификации: 08.07.2020

Размер: 325 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.