YJG20N06A
RoHS
YJG20N06A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
60V
20A
<43mohm
<47mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for Low RDS(ON)
Applications
● DC-DC Converters
● Po...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 1 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD20N06A (YJ) | TO252 | в ленте 20 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | AOD442 (YOUTAI) | TO-252-3 | — | — | |||||||||||||
A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMTG170N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0612AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0609AU-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | TO-252-3 | — | — | |||||||||||||
A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 | — | — | |||||||||||||
A+ | STD35NF06L (YOUTAI) | — | 1 шт | — | ± | — | — | — | |||||||||
A+ | YJR20N06A (YJ) | TO251 | в линейках 4950 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | NCE6020AK (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJU20N06A (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | 25N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — |
Файлы 2
показать свернуть
Документация на YJG20N06AF1
Microsoft Word - YJG20N06A Rev3.2
Дата модификации: 09.11.2020
Размер: 1.14 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.