YJL2302B

RoHS YJL2302B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) 20V 3.0A <50 mohm <70 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● PWM app...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
в ленте 6000 шт
 
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI2312A (YOUTAI)
 
SOT-23-3
 
A+ AO3416A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 30 шт
 
A+ AO3414A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 180 шт
 
A+ CJA9452 (JSCJ)
 
SOT893L
 
±
A+ CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
A+ CJ2312 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ CJ2312 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM4C62160A (WAYON)
 
 
A+ WM02DN60M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN50M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN48M3 (WAYON)
 
SOT236 65 шт
 
A+ NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ IRLML6246 (KLS)
 
1 шт
 
A+ SI2300A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
A+ YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MTM78E2B0LBF (PAN)
 
WSON-8 1 шт
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.