YJP200G06A

SUNCOYJ
RoHS YJP200G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.9 mohm ＜3.6 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammab...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE60H10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- CS3205B8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ CRTT029N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ CRTS029N06N (CRMICRO)
 
TO263
 
 — — —
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
A+ NCEP60T20T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP60T20LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP018N60 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJB200G06A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 — —
A+ CS240N06A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJP200G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.9 mohm ＜3.6 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Isolated DC-DC Converters ● Motor control ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 200 TC=25℃ Drain Current A ID A 125 TC=100℃ Pulsed Drain Current B IDM 600 A Avalanche energy C EAS 500 mJ Total Power Dissipation D PD 260 W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 0.48 Thermal Resistance Junction-to-Ambient E RθJA 28 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJP200G06A B1 YJP200G06A 50 / 5000 Tube 1/7 S-E050 Rev.3.1,13-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJP200G06A 

Дата модификации: 13.06.2022

Размер: 840.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)