NCE6080A
NCE6080A
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE6080A uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =60V,ID =80A
Schematic diagram
RDS(ON)=6.5mΩ (typical) @ VGS=10V
RDS(ON)=7.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V
● High density cell desi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 40
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMK25N06TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| P- | YJG95G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | YJP200G06A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | WMK030N06LG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMK80N06T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMK030N06HG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMM030N06HG4 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | CJU70N06 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| P- | WMK048NV6HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | CS100N06D8 (CRMICRO) | TO220AB |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | IRFZ48N (EVVO) IRFZ48N (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRL3705NPBF (JSMICRO) IRL3705NPBF (INFIN) | — | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | JMTE060N06A (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | IRL2505PBF-VB (VBSEMI) | — | 20 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRL2505PBF (JSMICRO) IRL2505PBF (INFIN) | — | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | JMTC58N06B (JIEJIE) | TO2203L | 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | YJP65N06A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| P- | WMK80N06TS (WAYON) | — | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMSH0804NC-U (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJD80G06C (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJB150G06AK (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJG80G06A (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD80G06A (YJ) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | CS120N06C8 (CRMICRO) | TO220AB | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CRST055N07N (CRMICRO) | TO-220-3 | в линейках 5000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE60H15AT (NCE) | TO-247-3 | в линейках 600 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMTK060N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTG060N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMO030N06LG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAC13TH06 (JSCJ) | — | в ленте 20 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WMB060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMK100N07TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB034N06HG4 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO80N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO060N06LG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO030N06HG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG80G06B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD90N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | WMB040N08HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG85G06AK (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE6080A
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 10.05.2023
Размер: 588 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.