CS3205B8
Silicon
N-Channel
Power MOSFET
R
○
CS3205 B8
General Description:
VDSS
55
V
ID ( Silicon limited current)
120
A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar
PD (T C=25℃)
230
W
Technology which reduce the conduction loss, improve
RDS(ON)Typ
7.6
mΩ
CS3205 B8, the silicon N-channel Enhanced
switching performance and enhance the avalanche
energy. The transistor can be us...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220AB
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO220AB | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 26
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | YJP200G06A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | ||||||||||||
| P- | IRL2505 (EVVO) IRL2505 (INFIN) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | WMK030N06HG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
| P- | NCE60H10 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
| P- | WMK048NV6HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | WMB025N06LG4 (WAYON) | — | 5 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | YJG175G06AR (YJ) | — | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | WMM048NV6HG4 (WAYON) | TO263 | 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMB025N06HG4 (WAYON) | PDFN8L5X6 | 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | CJAC130SN06L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | CS120N06C8 (CRMICRO) | TO220AB | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | BLM04N06-B (CN BELL) | — | N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm | Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply | |||||||||||||
| A+ | WMK025N06HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB034N06HG4 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | JMTK060N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | CRST055N07N (CRMICRO) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | IRFP064N (EVVO) IRFP064N (INFIN) | TO-247-3 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | YJB150G06AK (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт |
| — | — | |||||||||||
| A+ | CJAC13TH06 (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMO030N06LG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMO030N06HG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMM030N06HG4 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMM025N06HG2 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |
| — | — | — | ||||||||||
| A+ | WML025N06HG2 (WAYON) | TO220F | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMK030N06LG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | NCE60H15AT (NCE) | TO-247-3 | в линейках 30 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.