25 апреля 2023
новость
CJAB35SN03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAB35SN03
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
6.0mΩ@10V
30 V
8.0mΩ@4.5V
ID
PDFNWB3.3×3.3-8L
35A
DESCRIPTION
The CJAB35SN03 uses shielded gate trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
FEATURES
Hi...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 27
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMQ098N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | JMTQ3006B (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | IRFH3702TRPBF (JSMICRO) IRFH3702TRPBF (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | IRFH3702TRPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | NCE3020Q (NCE) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | IPD060N03LG (YOUTAI) | — | 20 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAC40SN03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC35N03S (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC40N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMB050N03LG4 (WAYON) | — |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | CJAB35N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMQ050N03LG4 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | JMTQ3005A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAB35N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.