CJAB55N03S

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03S N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 3.8mΩ@10V 30 V PDFNWB3.3×3.3-8L 55A 5.9mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJAB55N03S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Batter...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ50N03A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB75N03U (JSCJ)
 
в ленте 5000 шт
 
±
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ CJAB60N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ 30N03A (YOUTAI)
 
TO252 100 шт
 
±
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJQ60N03A (YJ)
 
DFN30308 5000 шт
 
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJQ50N03B (YJ)
 
 
A+ YJG90N04A (YJ)
 
252 шт
 
A+ YJG50N03B (YJ)
 
 
A+ YJG50N03A (YJ)
 
PDFN8L5X6
 
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTQ040N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJAB55N03S 

Дата модификации: 06.05.2021

Размер: 4.56 Мб

6 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    03 мая 2023
    новость

    Компоненты JSCJ для устройств быстрой зарядки – простая схемотехника и соответствие стандартам по ЭМС

    Соответствуя требованиям стремительно развивающегося рынка зарядных устройств и постоянно совершенствую свои технологии, компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) предлагает новые решения: выпрямляющие диоды, стабилитроны,... ...читать

    25 апреля 2023
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

    Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.