MMBT4401

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT4401 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Switching Transistor MARKING:2X MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V 1. BASE VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 2. EMITTER VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 3. COLLECTOR IC ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT4401 (SHIKUES)
 

MMBT4401 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
P= LMBT4401LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= MMBT4401 (YJ)
 

MMBT4401 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT4401Q (YJ)
 
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
200 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
A+ MMBT5551Q (YJ)
 
 
A+ MMBT2222AQ (YJ)
 
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ MMST2222AQ (YJ)
 
SOT-323-3

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT4401 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Switching Transistor MARKING:2X MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V 1. BASE VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 2. EMITTER VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 3. COLLECTOR IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 417 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB 0 = Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO Collector cut-off current = VCB=50V,IE 0 ICBO Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain ICEX IC=100μA,IE=0 IE=100μA ,IC=0 Min 40 V 6 V = VCE=35V, VEB 0.4V 20 hFE2 = VCE=1V, IC 1mA 40 hFE3= VCE=1V, IC 10mA 80 hFE4 = VCE=1V, IC 150mA 100 hFE5 = VCE=2V, IC 500mA 40 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) Unit V VCE=1V, IC 0.1mA hFE1= VCE(sat) Max 60 = VEB=5V,IC 0 IEBO Collector-emitter saturation voltage Typ 0.1 μA 0.1 μA 0.1 μA 300 = IC=150mA,IB 15mA 0.4 V = IC=500mA,IB 50mA 0.75 V = IC=150mA,IB 15mA 0.95 V = IC=500mA,IB 50mA 1.2 V Transition frequency fT VCE=10V, IC=20mA,f =100MHz Delay time td VCC=30V, VBE(off)=-2V 15 ns Rise time tr IC=150mA , IB1=15mA 20 ns Storage time ts VCC=30V, IC=150mA 225 ns Fall time tf IB1=IB2=15mA 60 ns www.jscj-elec.com 1 250 MHz Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT4401 

Microsoft Word - MMBT4401 SOT-23_B_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 702.2 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    позавчера
    новость

    Зарядные станции электротранспорта на основе компонентов JSCJ

    Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и... ...читать

    07 июня
    новость

    Высокопроизводительный частотный преобразователь на базе компонентов JSCJ

    Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.