Карбид кремния – современное решение новых задач в силовой электронике (материалы вебинара)

19 сентября 2025

9 сентября состоялся вебинар «Карбид кремния – современное решение новых задач в силовой электронике». На нем мы обсудили практическое применение продукции разных компаний, которая доступна сегодня на российском рынке.

Ключевые решения, представленные на вебинаре:

• SiC-диоды Шоттки: простое внедрение технологии без сложных схем управления. Выпрямительные диоды производства Global PowerTech (GPT) и CR Micro.
• SiC-MOSFET 650…1700 В: широкий ассортимент FET-транзисторов от YG, Wayon, ATC, Global PowerTech. Новые корпуса, например, QGPack, для бортовых зарядок и возобновляемой энергетики.
• Силовые модули для тяговых и промышленных применений производства StarPower, Leapers, JSCJ, Anbon, BYD. При схожих характеристиках силовые модули MOSFET китайских брендов имеют более привлекательную цену.
• Драйверы затвора для SiC: специализированные драйверы FET-IGBT от SG Micro, 3PEAK и NovoSense, включая версии с автомобильной сертификацией.

Важные преимущества:

• Повышение КПД и снижение коммутационных потерь.
• Уменьшение тепловыделения и затрат на охлаждение.
• Компактность и надежность систем даже в жестких условиях эксплуатации.

Чем может помочь наша команда:

• Складская программа более чем по 100 позициям SiC-диодов, MOSFET и модулей.
• СДС: одно предложение – два решения. Мы дали возможность легкого выбора между лучшей ценой или лучшим сроком (посмотреть видеоинструкцию).

Видеозапись

Презентация

• Карбид кремния – современное решение новых задач в силовой электронике

Дополнительные материалы

• Драйверы управления затвором (материалы вебинара)
• Решения для зарядных станций (материалы вебинара)
• Особенности использования IGBT- и SiC-силовых модулей китайских производителей для ответственных применений (материалы вебинара)
• SiC-компоненты от ведущих китайских производителей
• Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Ответы на вопросы

Прокомментируйте вот такой парадокс: часть преимуществ применения SIC становится бесполезной, так как самое эффективное средство борьбы с EMC – снижение скорости переключений.

Этот парадокс порождает инженерную задачу: найти баланс между скоростью переключения SiC-ключей и ЭМС. Решение – в комплексных мерах, таких как подбор драйверов, расчет фильтров, оптимизация топологии платы и экранирования. Это позволяет сохранить преимущества скорости, минимизируя помехи.

Разным моделям SiC MOSFET, в отличие от Si MOSFET, к сожалению, требуется разное управляющее напряжение. Получается, из-за этого для SiC невозможно найти резервный альтернативный вариант для закупок при временных проблемах с доступностью основного компонента?

При проектировании нужно ориентироваться на драйверы для SiC, у которых нет проблем с доступностью, в первую очередь – на продукцию китайских производителей, пусть и со снижением в функциональности и превосходства характеристик.
Несмотря на тенденцию к снижению управляющих напряжений SiC MOSFET, они все еще превышают значения для IGBT. В текущей ситуации рациональным решением является выбор специализированных драйверов производства китайских компаний с хорошей доступностью, даже если это означает компромисс в функциональности.

Какая длина волны была в 1907 году?

В своем эксперименте 1907 года Генри Раунд наблюдал электролюминесценцию в карбиде кремния (SiC). Точную длину волны он не измерял, но описал ее как желтое свечение. Оно, скорее всего, находилось в диапазоне 565…590 нм. Важнейшим аспектом данного открытия было то, что это – «холодное» излучение, при котором свет генерируется электролюминесцентным, а не тепловым механизмом.