Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

12 февраля
Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET-транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC-преобразователях, сварочных инверторах, зарядных устройствах, преобразо...
управление питаниемуправление двигателемJSCJWayonNCECR MICROстатьядискретные полупроводникиMOSFETSJ MOSFETVD MOSFETFET

Формирование системы питания с малым шумом для аналогового тракта. Часть 2

22 декабря 2025
Дмитрий Илларионов (г. Нижний Новгород) Вторая часть статьи посвящена импульсным микросхемам без гальванической развязки. Эти устройства представлены на российском рынке рядом азиатских компаний и соответствуют мировым отраслевым стандартам. Узнат...
управление питаниеммедицинаавтоматизацияответственные применениялабораторные приборыUTCRUNICChipownWayonJOULWATTmicroneSilergySGMicroEtekстатьяинтегральные микросхемыCharge PumpLow Noise

SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

27 июня 2025
Эффективность, надежность и доступность – ключевые преимущества современных компонентов на базе карбида кремния (SiC), которые уже сегодня доступны со склада КОМПЭЛ. Они находят широкое применение в электромобилях, зарядных станциях, промышленных ...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеGPTWayonAnbon SemiYJATELECTSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETSiC DiodeСкладская программаSiC SBD

Нулевые потери или высокая устойчивость: SiC Шоттки против традиционных быстрых диодов

19 мая 2025
Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремние...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеGPTJSCJWayonAnbon SemiSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC SBDFREDдиоды с быстрым восстановлением