IRFH9310

EVVO
IRFH9310 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFH9310 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and S S S G D operation with gate voltages as low as 4.5V. This D device is suitable for use as a "S Battery protection or in other Switching application. S S D D G Pin 1 DFN5X6-8L General Features D VDS = -30V ID =-90A RDS(ON)...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC50P03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- WMB60P03TA (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCE30P50G (NCE)
 
— 10 шт
 
 ± — — — —
P- JMTG050P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
P- YJG55P03B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — — —
P- IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 20 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRFH9310 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFH9310 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and S S S G D operation with gate voltages as low as 4.5V. This D device is suitable for use as a "S Battery protection or in other Switching application. S S D D G Pin 1 DFN5X6-8L General Features D VDS = -30V ID =-90A RDS(ON) < 4.5 mΩ V GS=-10V G Application S Battery protection P-Channel MOSFET Load switch Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) IRFH9310 DFN5X6-8L IRFH9310 XXXX 5000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ IDM EAS PD@TC=25℃ ±20 V Continuous Drain Current, V GS @ 10V 1 -90 A Continuous Drain Current, V GS @ 10V 1 -57 A -360 A 125 mJ 60 W -55 to 150 ℃ -55 to 150 ℃ Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Total Power Energy 3 Dissipation4 TSTG Storage Temperature Range TJ Operating Junction Temperature Range RθJA Thermal Resistance Junction-Ambient RθJC Junction-Case1 Rev:2023A2 Units Thermal Resistance 1 1 55 ℃/W 2.08 ℃/W PDF
Документация на IRFH9310 

P6916_IRFH9310TRPBF_DFN5X6_8L

Дата модификации: 03.07.2024

Размер: 860.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)