JMTG050P03A
JMTG050P03A
Description
JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
VDS= -30V, ID= -80A
RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 6.6mΩ @ VGS = -4.5V
PWM Applications
Load Switch
Power Management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
PDFN5x6-8L
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Marking and pin Assignment
Schemat...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJAC50P03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| P- | WMB60P03TA (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| P- | NCE30P50G (NCE) | — | 10 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
| P- | YJG55P03B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| P- | IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI) | — | 20 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRFH9310 (EVVO) | DFN-8 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTG050P03A
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 22.09.2022
Размер: 478.7 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.