JMTG050P03A

JMTG050P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -30V, ID= -80A RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 6.6mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free PDFN5x6-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schemat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC50P03 (JSCJ)
 
 
±
P- WMB60P03TA (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- NCE30P50G (NCE)
 
10 шт
 
±
P- YJG55P03B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
P- IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI)
 
20 шт
 
P- IRFH9310 (EVVO)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.