NCE30P50G
NCE30P50G
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
General Features
The NCE30P50G uses advanced trench technology and
● VDS =-30V,ID =-50A
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
RDS(ON) < 7mΩ @ VGS=-10V
can be used in a wide variety of applications.
RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=-4.5V
● High density cell design for ultra low Rds...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJAC50P03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| P- | WMB60P03TA (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| P- | JMTG050P03A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| P- | YJG55P03B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| P- | IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI) | — | 20 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRFH9310 (EVVO) | DFN-8 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE30P50G
Microsoft Word - NCE30P50G data sheet.doc
Дата модификации: 17.06.2020
Размер: 328.7 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.