NCE30P50G

NCE30P50G http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE30P50G uses advanced trench technology and ● VDS =-30V,ID =-50A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON) < 7mΩ @ VGS=-10V can be used in a wide variety of applications. RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rds...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC50P03 (JSCJ)
 
 
±
P- WMB60P03TA (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- JMTG050P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
P- YJG55P03B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
P- IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI)
 
20 шт
 
P- IRFH9310 (EVVO)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE30P50G 

Microsoft Word - NCE30P50G data sheet.doc

Дата модификации: 17.06.2020

Размер: 328.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.