CJAC50P03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFNWB5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAC50P03
P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID
4.4mΩ@-10V
-50A
-30V
PDFNWB5×6-8L
DESCRIPTION
The CJAC50P03 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
FEATURES
High density cell design ...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMB60P03TA (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | NCE30P50G (NCE) | — | 10 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | JMTG050P03A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | YJG55P03B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI) | — | 20 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRFH9310 (EVVO) | DFN-8 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.