YJG55P03B

Yangjie
RoHS YJG55P03B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -30 V -55 A ＜9 mΩ ＜10.5 mΩ ＜20 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC50P03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- WMB60P03TA (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCE30P50G (NCE)
 
— 10 шт
 
 ± — — — —
P- JMTG050P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
P- IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 20 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFH9310 (EVVO)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG55P03B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -30 V -55 A ＜9 mΩ ＜10.5 mΩ ＜20 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Power management ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±25 V -10 TA=25℃ -6.3 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ -55 TC =100℃ -35 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM -150 A EAS 100 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 62 TC =100℃ 25 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.6 2 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG55P03B F1 YJG55P03B 5000 10000 100000 13’’ reel 1/7 S-E292 Rev.1.0,09-Feb-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG55P03B 

Дата модификации: 16.02.2023

Размер: 512 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)