WMB60P03TA

WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P03TA uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. s ss Features  VDS= -30V, ID = -60A D D D G G ss PDFN5060-8L RDS(on) < 8.5mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 11mΩ @ VGS = -4.5V  Green De...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC50P03 (JSCJ)
 
 
±
P- NCE30P50G (NCE)
 
10 шт
 
±
P- JMTG050P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
P- YJG55P03B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
P- IRFH9310TRPBF-VB (VBSEMI)
 
20 шт
 
P- IRFH9310 (EVVO)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.