JMSH1008AC-U

JMSH1008AC JMSH1008AE 100V 6.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 112 A 6.8 m Applications • Power Managerment in Telecom., Industria...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ JMSH1006AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMSH1006AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH1004BGQ (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ JMSH1008AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JMSH1008AC JMSH1008AE 100V 6.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 112 A 6.8 m Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics TO-220-3L Top View TO-263-3L Top View D D G G D G S S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media JMSH1008AC-U TO-220-3L 3 SH1008A N/A -55 to 150 Tube 50 JMSH1008AE-13 TO-263-3L 3 SH1008A 1 -55 to 150 13-inch Reel 800 Quantity (pcs) Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 112 ID TC = 100°C A 71 Pulsed Drain Current (2) IDM 356 Avalanche Current (3) IAS 45 A Avalanche Energy (3) EAS 101 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 192 PD TC = 100°C -55 to 150 RDS(ON) vs. VGS 10 ID = 20A VDS = 50V 25 8 20 6 VGS (V) RDS(ON) (m) °C Gate Charge 30 15 ID = 20A 4 2 10 0 5 2 4 6 8 10 0 10 VGS (V) Rev. 2.5 W 77 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 20 30 40 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSH1008AC-U 

JMSH1008AC(E)_Rev2.5.xlsx

Дата модификации: 07.04.2023

Размер: 328.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.