JMSH1010AK-13

JIEJIE
JMSH1010AK 100V 9.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-Free Lead Plating Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 64 A 9.2 m • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Cu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJU80SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
P- YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
P- WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- NCE0140KA (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —
P- NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
P- CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт — — —
P- IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 — —
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — —
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
 — — —
A+ WMK080N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
 — — —
A+ CJAC80SN10 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
 ± — — —
A+ YJG60G10B (YJ)
 
—
 
 — —
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSL1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH1010AK 100V 9.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-Free Lead Plating Value Unit VDS 100 V VGS(th)_Typ 2.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 64 A 9.2 m • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Current Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics TO-252-3L Top View D D G G S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH1010AK-13 TO-252-3L 3 SH1010A 1 -55 to 150 13-inch Reel 2500 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 64 ID TC = 100°C (2) A 40 IDM 186 Avalanche Current (3) IAS 24 A Avalanche Energy (3) EAS 86 mJ Pulsed Drain Current Power Dissipation (4) TC = 25°C 89 PD TC = 100°C -55 to 150 RDS(ON) vs. VGS °C Gate Charge 50 10 ID = 20A VDS = 50V 40 8 30 6 VGS (V) RDS(ON) (m) W 36 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 20 ID = 20A 4 2 10 0 0 0 5 10 15 20 0 5 VGS (V) Rev. 1.2 10 15 20 25 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSH1010AK-13 

JMSH1010AK_Rev1.2.xlsx

Дата модификации: 04.09.2022

Размер: 323.9 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)