2N7002K TO-92

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002K N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX TO-92 2.5Ω@10V 60 V 340mA 3Ω@4.5V 1. SOURCE 2. GATE 3. DRAIN FEATURE z High density cell design for Low RDS(on) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation current capability z ESD protected XXX 2 3 APPLIC...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AD-2N7002K (JSCJ)
 
SOT-23-3 ±
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ L2N7002KX4T5G (LRC)
 
DFN10104
 
±
A+ L2N7002KWT1G (LRC)
 
SOT-323-3 SC70 ±
A+ L2N7002KTT1G (LRC)
 
SC89
 
±
A+ L2N7002KN3T5G (LRC)
 
SOT883
 
±
A+ L2N7002KLT1G (LRC)
 
SOT233
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
A+ AD-2N7002KW (JSCJ)
 
SOT-323-3
 
±
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
±
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
в ленте 300 шт
 
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ L2SK801LT1G (LRC)
 
SOT233
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.