2N7002K

2N7002K MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage SOT-23 MECHANICAL DATA Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Marking: 72K MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 2460 шт
 
±
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
в ленте 300 шт
 
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
±
A+ WM06N03L (WAYON)
 
SOT-523
 
A+ WM06N03H (WAYON)
 
SOT-723
A+ WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
 
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AD-2N7002K (JSCJ)
 
SOT-23-3 ±
A+ AD-2N7002KW (JSCJ)
 
SOT-323-3
 
±

Файлы 1

показать свернуть
2N7002K MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage SOT-23 MECHANICAL DATA Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Marking: 72K MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current (Note 1) Power dissipation      Thermal resistance from Junction to ambient Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA Value 60 ±20V 340 800 0.35 357 Unit V V mA mA W °C/W Junction And Storage temperature Range TJ,TSTG -65 ~+150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symb Min Typ Max Unit Conditions Static Characteristics V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage VGS=0V, ID=250μA 60 V VGS( Gate-threshold voltage (note 1) VDS= VGS, ID=250uA 1 1.5 2.0 V th) Zero gate voltage drain current µA VDS=60 V, VGS=0V IDSS 1 ±10 µA VDS=0V, VGS=±20V nA VDS=0V, VGS=±10V Gate-body leakage current ±200 IGSS nA VDS=0V, VGS=±5V ±100 Ω VGS=10 V, ID=0.3A 1.0 1.7 Drain-source on-resistance (note 1) RDS(ON) Ω VGS=4.5V, ID=0.2A 1.3 2.6 Diode forward voltage (note 1) IS=0.3A, VGS=0V VSD 1.5 V Gate-Source Breakdown Voltage Igs=±1mA (Open Drain) BVGSO ±21.5 ±30 V VGS=0V,IS=0.3A,VR=25V, Recovered charge Qr 30 nC dls/dt=-100A/μS Dynamic Characteristics Input capacitance Ciss 40 pF Output capacitance Coss 30 pF VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz Reverse transfer capacitance Crss 10 pF Switching Characteristics Turn-on delay time td(on) 3 nS VDD=50V,VGS=10V,RG=50Ω, Turn-off delay time td(off) 15 nS RGS=50Ω,RL=250Ω VGS=0V,IS=0.3A,VR=25V, Reverse recovery time trr 26 nS dls/dt=-100A/μS Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/4 PDF
Документация на 2N7002K 

Subject:

Дата модификации: 14.06.2019

Размер: 429 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    11 ноября 2024
    новость

    Компоненты JSCJ для задних автомобильных фонарей

    В современном автотранспорте передние фары не всегда бывают светодиодными, но задние, как правило, выполнены с применением LED, что позволяет повысить их надежность. Кроме того, задние светодиодные фонари дают больше возможностей в сфере дизайна.... ...читать

    25 апреля 2023
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

    Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.