2N7002K SOT-23

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002K N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-23 2.5Ω@10V 60 V 3 340mA 3Ω@4.5V 1. GATE 2. SOURCE 1 2 3. DRAIN FEATURE z High density cell design for Low RDS(on) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation current capability z ESD protected APPLIC...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P= 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P= 2N7002K (SHIKUES)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
±
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AD-2N7002KW (JSCJ)
 
SOT-323-3
 
±
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ L2N7002KX4T5G (LRC)
 
DFN10104
 
±
A+ L2N7002KWT1G (LRC)
 
SC703 ±
A+ L2N7002KTT1G (LRC)
 
SC89
 
±
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ L2N7002KLT1G (LRC)
 
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
A+ TQM2N7002KCX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ TQM2N7002KCU RFG (TSC)
 
SOT-323-3 3000 шт
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AD-2N7002K (JSCJ)
 
SOT-23-3 ±
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ L2N7002KN3T5G (LRC)
 
SOT883
 
±
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
в ленте 300 шт
 
A+ 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
±
A+ L2SK801LT1G (LRC)
 
SOT233
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
11 ноября 2024
новость

Компоненты JSCJ для задних автомобильных фонарей

В современном автотранспорте передние фары не всегда бывают светодиодными, но задние, как правило, выполнены с применением LED, что позволяет повысить их надежность. Кроме того, задние светодиодные фонари дают больше возможностей в сфере дизайна.... ...читать

25 апреля 2023
новость

Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.