2N7002K SOT-23
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs
2N7002K
N-channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-23
2.5Ω@10V
60 V
3
340mA
3Ω@4.5V
1. GATE
2. SOURCE
1
2
3. DRAIN
FEATURE
z
High density cell design for Low RDS(on)
z
Voltage controlled small signal switch
z
Rugged and reliable
z
High saturation current capability
z
ESD protected
APPLIC...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 2460 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 28
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | 2N7002K (JSCJ) 2N7002K (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
P= | CS3N06AS-G (CRMICRO) | SOT-23-3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | 2N7002KC (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
P= | WM06N03M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | WM05N02M (WAYON) | SOT-23-3 | 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | 2N7002K (NCE) 2N7002K (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
P= | 2N7002K (SHIKUES) 2N7002K (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P= | 2N7002G-AE2-R (UTC) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | AD-2N7002KW (JSCJ) | SOT-323-3 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2N7002C (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | L2N7002KX4T5G (LRC) | DFN10104 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | L2N7002KWT1G (LRC) | SC703 |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | L2N7002KTT1G (LRC) | SC89 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2N7002 (YJ) 2N7002 (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | L2N7002KLT1G (LRC) | — | ± | — | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | — | — | |||||||||
A+ | TQM2N7002KCX RFG (TSC) | SOT-23-3 | 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM2N7002KCU RFG (TSC) | SOT-323-3 | 3000 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | BSS138KJ (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | AD-2N7002K (JSCJ) | SOT-23-3 |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | 2N7002KW SOT-323 (JSCJ) | SOT-323-3 |
| — | — | — | |||||||||||
A+ | L2N7002KN3T5G (LRC) | SOT883 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2N7002K 72K (JSCJ) | — | в ленте 300 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | 2N7002DW (EVVO) 2N7002DW (ONS-FAIR) | SOT-323-6 SOT363 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2N7000 (DC) 2N7000 (ONS-FAIR) | TO-92-3 | 1000 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | BSS138KWJ (YJ) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | 2N7002W (YJ) 2N7002W (ONS-FAIR) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | CJBA7002K (JSCJ) | DFN10063 | в ленте 300 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | L2SK801LT1G (LRC) | SOT233 | — | — | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2N7002K SOT-23
Microsoft Word - 2N7002K_SOT-23_
Дата модификации: 11.12.2020
Размер: 650.4 Кб
5 стр.
Публикации 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.