BC847BV

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors BC847BV DUAL TRANSISTOR(NPN+NPN) SOT-563 FEATURES z Epitaxial Die Construction Complementary PNP Type Available z (BC857BV) Ultra-Small Surface Mount Package z Marking: K4V MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC547B (DC)
 

BC547B (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ S9014 (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ S9014-H (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ 2SC1623-L6 (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2SC3052-F (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2SC3052-G (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC849B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ 2SC1623 300-400 (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ 2SC1623 L6 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC546B (KLS)
 
1 шт
A+ 2SC2712 200-400 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors BC847BV DUAL TRANSISTOR(NPN+NPN) SOT-563 FEATURES z Epitaxial Die Construction Complementary PNP Type Available z (BC857BV) Ultra-Small Surface Mount Package z Marking: K4V MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.15 W RθJA Thermal Resistance. Junction to Ambient Air 833 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55 ~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=1μA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 15 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 100 nA DC current gain hFE(1) VCE=5V,IC=2mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) 450 IC=10mA,IB=0.5mA 100 IC=100mA,IB=5mA 300 IC=10mA,IB=0.5mA 700 IC=100mA,IB=5mA 900 VCE=5V,IC=2mA Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT VCE=5V,IC=10mA,f=100MHz Output capacitance Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz Noise Figure NF www.jscj-elec.com 200 580 VCE=5V,IC=10mA VCE=5V,Rs=2KΩ, f=1kHz,BW=200Hz 1 660 mV mV 700 770 100 mV MHz 4.5 pF 10 dB Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC847BV 

Microsoft Word - BC847BV_SOT-563_.doc

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.17 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.