S9014W

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9014W TRANSISTOR (NPN) SOT–323 FEATURES  Complementary to S9015W  Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 1. BASE 2. EMITT...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC547B (DC)
 

BC547B (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
 
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
A+ 2SC536N (JSCJ)
 
TO-92-3
 
A+ BCW66H (JSCJ)
 
в ленте 1200 шт
 
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC847BV (JSCJ)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 
A+ S9014 (JSCJ)
 
 
A+ S9014 (YOUTAI)
 
1 шт
 
A+ S9014 250-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
 
A+ S9014 SOT-23 (JSCJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9014W TRANSISTOR (NPN) SOT–323 FEATURES  Complementary to S9015W  Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR IC Collector Current 100 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA, IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=100µA, IB=0 45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=50V, IE=0 100 nA Collector cut-off current ICEO VCE=35V, IB=0 1 uA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 100 nA DC current gain hFE VCE=5V, IC=1mA 200 1000 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB=5mA 0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=100mA, IB=5mA 1 V 0.7 V Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT Collector output capacitance Cob VCE=5V, IC=2mA 0.58 VCE=5V,IC=10mA , f=30MHz 150 VCB=10V, IE=0, f=1MHz MHz 3.5 pF CLASSIFICATION OF hFE RANK L H RANGE 200–450 450–1000 J6 MARKING www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на S9014W 

Microsoft Word - S9014W SOT-323_A_.doc

Дата модификации: 15.05.2020

Размер: 800.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.