JMSH0804NC-U

JIEJIE
JMSH0804NC JMSH0804NE 85V 3.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 85 V VGS(th)_Typ 3.0 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 160 A 3.2 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics • C...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE80H12 (NCE)
 
— в линейках 20 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
 — — — — — —
P- NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- CJP120N10 (JSCJ)
 
TO-220-3 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMK80N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- YJP120G08A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
P- WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- CRST055N07N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — — — — —
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт — — —
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ JMSH0803AGS (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSH0804NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ IRFP4110 (EVVO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ YJN280G10H (YJ)
 
TO-247-3 — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0804NC JMSH0804NE 85V 3.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 85 V VGS(th)_Typ 3.0 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 160 A 3.2 m • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Power Management in Telecom., Industrial Automation, CE TO-220-3L Top View TO-263-3L Top View D D G G D G S S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media JMSH0804NC-U TO-220-3L 3 SH0804N NA -55 to 150 Tube 50 JMSH0804NE-13 TO-263-3L 3 SH0804N 1 -55 to 150 13-inch Reel 800 Quantity (pcs) Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 85 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain (1) Current Pulsed Drain Current TC = 25°C ID TC = 100°C (2) Avalanche Energy (3) Power Dissipation (4) 160 TC = 25°C IDM 519 A EAS 434 mJ 192 PD TC = 100°C -55 to 150 10 ID = 20A VDS = 40V 8 VGS (V) 15 10 5 ID = 20A 6 4 2 0 0 0 5 10 15 20 0 20 VGS (V) Rev. 3.1 °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 20 RDS(ON) (m) W 76 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 100 40 60 80 Qg (nC) Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0804NC-U 

JMSH0804NC(E)_Rev3.1.xlsx

Дата модификации: 03.08.2023

Размер: 377.9 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)