CS180N06A8

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS180N06 A8 General Description ： VDSS 60 V ID（ Silicon limited current ） 180 A VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology P D(TC=25℃) 245 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 3.2 mΩ CS180N06 A8, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
P- NCE60H15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — — —
P- CJP120N10 (JSCJ)
 
TO-220-3 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
P- IRL2505 (EVVO)
 

IRL2505 (INFIN) 		TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — —
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт — — —
A+ WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMMB015N08HGS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS180N06 A8 General Description ： VDSS 60 V ID（ Silicon limited current ） 180 A VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology P D(TC=25℃) 245 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 3.2 mΩ CS180N06 A8, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance(Rdson≤4mΩ)  Low Gate Charge (Typical Data:86.2nC)  Low Reverse transfer capacitances(Typical:342pF)  100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage ID a1 IDM VGS EAS a2 PD Rating Units 60 V Continuous Drain Current 180 A Continuous Drain Current TC = 100 °C 116 A Pulsed Drain Current 720 A Gate-to-Source Voltage ±20 V Single Pulse Avalanche Energy 870 mJ Power Dissipation 245 W Derating Factor above 25°C 1.96 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 10 2 0 1 7 V0 1 PDF
Документация на CS180N06A8 

产品特点：

Дата модификации: 21.12.2017

Размер: 585.3 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)