WMK25N06TS

WMK25N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK25N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features GD  VDS = 60V, ID = 25A  RDS(on) < 32mΩ @ VGS = 10V TO-220 RDS(on) < 40mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 40

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 3000 шт
 
P- CJP120SN08 (JSCJ)
 
TO2203L
 
P- CS100N06A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- NCE6050A (NCE)
 
TO-220-3 1000 шт
 
±
P- NCE6020A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- NCE6080 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P- NCE6080A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- YJP65N06A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRFZ24NPBF (JSMICRO)
 

IRFZ24NPBF (INFIN)
в линейках 100 шт
 
P- CJP120N10 (JSCJ)
 
TO-220-3 10 шт
 
P- CRTT045N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3 1000 шт
 
P- JMTC80N06A (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
P- IRFZ44NPBF (JSMICRO)
 

IRFZ44NPBF (INFIN)
в линейках 400 шт
 
P- IRFZ44N (EVVO)
 

IRFZ44N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
P- IRFZ48N (EVVO)
 

IRFZ48N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRF3205ZPBF (JSMICRO)
 

IRF3205ZPBF (INFIN)
в линейках 50 шт
 
A+ YJQ45G06A (YJ)
 
DFN30308 в ленте 800 шт
 
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
100 шт
 
A+ YJG30N06A (YJ)
 
10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STD20NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ NCE6050KA (NCE)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ 50N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ 40N06 (YOUTAI)
 
TO252 1 шт
 
±
A+ 30N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ 25N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMO35N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ IRFZ44NS (YOUTAI)
 

IRFZ44NS (INFIN)
в ленте 70 шт
 
A+ CJU50N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMB26N06TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ098N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK50N06TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJD50N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ FQD20N06 (YOUTAI)
 
в ленте 5 шт

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.