CJU50P06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU50P06 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID -60V 25mΩ@-10V -50A TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU50P06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURE  Advanced trench process t...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P= NCE60P45K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P= WMO35P06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт
P= UTT50P06G-TN3-R (UTC)
 
TO252
 
P- STD10PF06T4 (VBSEMI)
 
в ленте 2500 шт
 
P- WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P- NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
±
P- TSM680P06CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
F~ WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.