MMBT5550

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5550 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Voltage Transistor MARKING:M1F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBT5550 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
3000 шт
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
 
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
10 шт

Файлы 1

показать свернуть
Документация на MMBT5550 

Microsoft Word - MMBT5550 SOT-23_A_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 677.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.