Вход / Регистрация

MMBT5550

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5550 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Voltage Transistor MARKING:M1F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBT5550 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
— 10 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5550 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Voltage Transistor MARKING:M1F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 1. BASE Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 225 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 556 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=0.1mA, IE=0 160 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=1mA, IB=0 140 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=0.01mA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=100V, IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 50 nA hFE(1) VCE=5V, IC=1mA 60 hFE(2) VCE=5V, IC=10mA 60 hFE(3) VCE=5V, IC=50mA 20 VCE(sat)1 IC=10mA, IB=1mA 0.15 V VCE(sat)2 IC=50mA, IB=5mA 0.25 V VBE(sat)1 IC=10mA, IB=1mA 1 V VBE(sat)2 IC=50mA, IB=5mA 1.2 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 250 *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT5550 

Microsoft Word - MMBT5550 SOT-23_A_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 677.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)