WMK16N10T1
WMK16N10T1
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK16N10T1 uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
superior switching performance.
Features
GD
VDS =100V, ID = 15.8A
S
TO-220
RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 110mΩ @ VGS = 4.5V
RoHs and Halogen-Free Compliant
Low Gate...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 26
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
P- | YJF50G10H (YJ) | ITO220AB | в линейках 50 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | IRLI530NPBF-VB (VBSEMI) | — | 30 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
A+ | 12N10 (YOUTAI) | — | 1 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFR3910 (EVVO) IRFR3910 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | IRFR540Z (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | IRFR3410 (EVVO) IRFR3410 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRF540NS (EVVO) IRF540NS (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD15N10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | NCE0130GA (NCE) | DFN-8 | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0130KA (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMO25N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK25N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | 1 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | TSM900N10CP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK16N10T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 19.03.2022
Размер: 643.7 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.