NCE8295AD
NCE8295AD
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE8295AD uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This
device is suitable for use in PWM, load switching and general
purpose applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =82V,ID =95A
RDS(ON) < 7.0 mΩ @ VGS=10V
(Typ:6mΩ)
● High den...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
- Норма упаковки: 800 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO263 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 26
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CJU60SN08 (JSCJ) | TO2522L | 1 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | YJB120G08A (YJ) | TO263 | 800 шт | — | — | ||||||||||||
P- | WMM80N08TS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | IRFS3607L (EVVO) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CRTT088N10N (CRMICRO) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJB180G10B (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | IRFB4110 (EVVO) IRFB4110 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFP4110 (EVVO) | TO-247-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG120G10AR (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJG110G10B (YJ) | — | 1 шт | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | YJG90G10A (YJ) | PDFN568 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMM053NV8HGS (WAYON) | TO263 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMSH1008AE (JIEJIE) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE8295A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMM043N10HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP065N10 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMK060N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJB3R0SN10B (JSCJ) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMM060N10HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB043N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMM043N10HGD (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB060N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK043N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK043N10LGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB053NV8HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO053NV8HGS (WAYON) | TO252 | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE8295AD
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 06.09.2022
Размер: 639.4 Кб
7 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.